[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-D103-10] プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成

〇(B)千葉 陽史^1,2、常見 大貴^1,2、本多 智也^1,2、牧野 高紘²、佐藤 真一郎²、山田 直人²、佐藤 隆博²、土方 泰人¹、大島 武² (1.埼玉大、2.量研)

キーワード：炭化ケイ素、プロトンビーム描画、単一光子源

量子暗号通信、量子センサーへの応用が期待されている、炭化ケイ素（SiC）半導体中の原子空孔（V_Si）について発表を行う。本研究では、V_Siの発光の電気的制御を実現すべく、SiC pinダイオードを作製し、プロトンビーム照射によってV_Siの形成を行った。本講演では、ダイオードを用いたV_Siへの電圧印加による、V_Siの発光制御の可能性についても報告する予定である。