[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [19p-D103-13] OCVDを用いたSiC-PiNダイオードにおけるキャリア寿命の評価

〇天野 亘¹、野口 宗隆²、渡邊 寛²、波多野 睦子¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大、2.三菱電機先端総研)

キーワード：PiNダイオード、SiC、パワーデバイス

バイポーラデバイスにおいて、損失やスイッチング速度などに関わってくるキャリア寿命の向上は課題の一つである。本研究はSiC-PiNダイオードの実効的なキャリア寿命を評価するためにOCVD測定を実施した。OCVD法での常温のキャリア寿命は0.11 μsという結果が得られ、μ-PCD法で得られたキャリア寿命は1.04 μsと異なる。その要因としては、p注入により生じたバルク欠陥によるキャリア寿命の低下が想定される。