[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-D103-17] 高濃度Alドープp型４H-SiCの抵抗率へのNコドープの影響

〇日高 淳輝¹、竹下 明伸¹、今村 辰哉¹、高野 晃大¹、奥田 和也¹、松浦 秀治¹、紀 世陽²、江藤 数馬²、児島 一聡²、加藤 智久²、吉田 貞史²、奥村 元² (1.阪電通大、2.産総研)

キーワード：p型4H-SiC、抵抗率の温度依存性、伝導機構

オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には，p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である．高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜にNをコドーピングすることで，結晶性が改善されることが報告されている．そこで本研究では，Al-Nコドープp型4H-SiCの電気的特性を評価した．Al単独ドープより，Nをコドープすることで最近接ホッピング伝導が高温側で生じやすくなることが確認できた．