[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [19p-D103-8] SiNx膜レーザーアブレーションによる4H-SiCへの窒素ドーピング

〇菊地 俊文^1,2、妹川 要^1,2、池田 晃裕¹、中村 大輔¹、浅野 種正¹、池上 浩^1,2 (1.九大シス情、2.九大ｷﾞｶﾞﾌｫﾄﾝ共同部門)

キーワード：4H-SiC、パワーデバイス、レーザードーピング

4H-SiCはワイドバンドギャップ半導体であり，優れた材料物性を有したデバイス材料である一方，ウエハ製造時の不純物ドーピングプロセスの改善が求められている．我々は， 4H-SiC基板上に形成させたSiNx膜を真空中にてレーザーアブレーションすることで窒素がドーピングされることを示してきた．今回，真空槽を用いない処理方法として不活性ガスノズルを用いたシステムの開発を行った．不活性ガス中で 4H-SiCへの窒素ドーピングが可能かを調査した．