[19p-F102-1~9] 再生可能エネルギーの高度利用に向けた材料・デバイス技術の進展

△ [19p-F102-3] アクセプタ添加TiO₂薄膜の電気化学的酸化還元挙動

〇(DC)石井 暁大¹、及川 格¹、高村 仁¹ (1.東北大院工)

キーワード：TiO2、抵抗変化型メモリ、酸化還元

導電ナノフィラメントの生成/消失を繰り返す抵抗変化型メモリ (ReRAM) は待機電力ゼロの次世代省エネルギーメモリとして注目されているが、スイッチング電圧が高い問題がある。本研究ではTiO₂薄膜からなるReRAMを作製し、酸素空孔で補償されるアクセプタ不純物の導入によってスイッチング電圧が低減することを確認した。この効果は酸素空孔生成エンタルピーの低下に起因することをDFT計算により明らかにした。