[19p-F102-1~9] 再生可能エネルギーの高度利用に向けた材料・デバイス技術の進展

[19p-F102-6] GaN(0001)/水界面の構造への表面帯電の影響

〇佐藤 正寛¹、今関 裕貴²、藤井 克司³、中野 義昭²、杉山 正和¹ (1.東大先端研、2.東大院工、3.理研)

キーワード：半導体、光電気化学、第一原理

光電極(光電気化学に用いる半導体電極)を用いた光電気化学反応では、光照射によって半導体表面の帯電状態が変わる。そこで、本研究では「半導体表面の帯電状態の変化」が半導体/電解液界面の電子構造および、幾何構造にどのような影響を与えるか、第一原理計算を用いて調べた。本報告では光電極の単純化されたモデルとしてよく調べられているGaN(0001)の清浄表面、同表面が水素原子あるいはOHに終端された界面などを扱った。