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[19p-F202-3] n形GaAsにおける不純物伝導のハバードバンドモデルによる解析
キーワード：ホッピング伝導、ホール効果
n形GaAsにおける不純物伝導について，中性ドナーから形成される下部ハバードバンドとともに，負にイオン化したドナーから形成される上部ハバードバンドも考慮して，ホール効果測定データを解析した．上部ハバードバンドでは最近接ホッピング伝導(NNH)，下部ハバードバンドではエフロス-シュコルフスキー (ES) モデルによる可変領域ホッピング伝導(VRH)によるドリフト移動度およびホール因子を考慮して，伝導度およびホール係数の温度依存性の実験データのフィッティングを行った．ドナー濃度1.3 ×1015cm-3 の試料のホール移動度は，3.3 K以下では下部ハバードバンドにおけるES VRHにより支配されるのに対し，3.5-15 K の温度範囲では上部ハバードバンドにおけるNNHにより支配されることが示された．