[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-8] MBE 法を用いたBaSi₂ エピタキシャル膜の成長速度の影響

〇杉山 周¹、髙部 涼太¹、都甲 薫¹、末益 崇¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体