2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

[19p-F310-1~15] 3.12 ナノ領域光科学・近接場光学

2018年3月19日(月) 13:30 〜 17:30 F310 (61-310)

伊藤 民武(産総研)、岡本 敏弘(徳島大)

16:45 〜 17:00

[19p-F310-13] Si発光ダイオードの光出力1W動作と電流依存性

川添 忠1、大津 元一2 (1.東電大、2.東大)

キーワード:ナノフォトニクス、発光ダイオード、シリコン

今回、Si-LED素子の電極を改良し、動作時の素子温度が液体窒素温度まで耐えるように改良を加え光出力パワー>1Wを達成する事に成功した。また光出力パワーの注入電流依存性が明瞭な閾値を持ち、閾値以上の電流では光パワーが電流の4乗に比例する事が分かったのでその機構について報告する。