[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-10] 窒化物成長用β-Ga₂O₃(-201)表面の作製とその超高真空中観察

〇中谷 将大¹、陳 蕾¹、岡田 有史¹、Ferreyra Romuald A¹、上田 大助¹、角野 広平¹ (1.京工繊大)

キーワード：酸化ガリウム、表面構造、走査型プローブ顕微鏡

Ga₂O₃はGaN縦型デバイスの作製に好適である。さらにはβ-Ga₂O₃（-201）面の酸素の配列がGaN（0001）の原子配列に近いため、欠陥の少ないGaN/Ga₂O₃界面が作製できると期待される．成長の初期過程を原子レベルで明らかにするには，平坦かつ清浄な基板の作製が必須である．本研究では，Ga₂O₃基板について種々の平坦化処理を行い，STMおよびAFM観察を試みた。真空中アニールでは試料の性質が変化した。化学エッチングでは、KOHよりもリン酸の方が一様に進行した。