[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19p-P11-25] 岩塩型Ni_0.5Fe_0.5O(111)薄膜の室温エピタキシャル成長におけるPLD成膜条件の影響と特性評価

〇池谷 侑紀¹、藤元 勇希¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、宇佐見 喬政¹、谷山 智康¹、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.（株）豊島製作所、3.神奈川県産総研)

キーワード：エピタキシャル薄膜、室温成長

本研究では、Ni-Fe二元系酸化物エピタキシャル薄膜における物性制御を目的として、特にNi_0.5Fe_0.5O薄膜の室温合成と基板や堆積酸素圧などの成膜条件が、Feの価数や構造、および導電性と磁気特性に与える影響について検討した。