[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-8] O₃キャリアガスを用いたミストCVD法によるα-Ga₂O₃薄膜の作製

〇内田 貴之¹、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：酸化ガリウム

これまでミストCVD法により成長したα-Ga2O3は膜中にはドナーとして働く可能性のあるSiが~ 10¹⁸ atom/cm^-3、Clが~10¹⁶ atom/cm^-3程度存在しているものの、これらは活性化しておらず抵抗値が> 10¹⁰ Ωcmを示すことが分かっている。本研究ではキャリアガスにO₃を用いることでSiが活性化し、意図的なドーピング無しで導電性α-Ga₂O₃薄膜が得られた。得られた薄膜の電気特性を核として発表を行う。