[19p-P4-1~15] 6.2 カーボン系薄膜

[19p-P4-3] 真空雰囲気下でのグラファイト状窒化炭素薄膜の合成

〇(B)安田 和史¹、青山 宏明¹、羽渕 仁恵¹、滝川 浩史² (1.岐阜工業高等専門学校、2.豊橋技術科学大学)

キーワード：薄膜、窒化炭素、半導体

グラファイト状窒化炭素(g-C₃N₄)は、エネルギーバンドギャップが約2.7 eV の半導体の性質を持っており、光半導体デバイス材料として応用が期待できる。我々は大気圧下で加熱したg-C₃N₄粉末を原料とし、真空にてg-C₃N₄薄膜の合成を行い、その評価を行った。講演では、温度条件を変えて合成した結果について報告する。