[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-15] 多結晶HfO₂における抵抗スイッチング現象の機構解析-第一原理計算によるアプローチ-

〇(M1C)肥田 聡太¹、山崎 隆浩²、奈良 純²、大野 隆央²、岸田 悟^1,3、木下 健太郎⁴ (1.鳥取大工、2.物材機構、3.TiFREC、4.東京理科大)

キーワード：抵抗変化メモリ、HfO2、第一原理計算

Pt/HfO₂/Pt構造の抵抗変化メモリを用いて取得した実験結果から計算モデルを構築し, HfO₂の各面方位の安定性及び酸素欠陥(V_O)導入による影響を第一原理計算を用いて評価した. 計算結果からV_Oは結晶粒表面近傍に生成されやすく, 結晶粒表面の電気伝導に影響を与え得ることがわかった. 以上から, 多結晶HfO₂をベースとする抵抗変化メモリ素子中ではV_Oの凝集と拡散により抵抗変化が生じることを示唆する結果を得た.