[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-33] Redox反応を利用したアモルファスWO_3-x薄膜のキャパシタンス素子

酒井 貴弘¹、杉本 天¹、林 博洋¹、箕原 誠人²、組頭 広志²、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：酸化物イオン伝導体

RFマグネトロンスパッタ法により、アモルファスWO_3-x薄膜をPt電極で挟んだクロスポイント構造を作製し、構造・イオン伝導性性の物性評価に加え、電圧印加に伴うWO_3-x内の酸化還元反応(Redox)により原子スイッチ現象を生じさせた時のキャパシタンス変化を評価した。