[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-34] Sm-doped CeO_2-d薄膜の中低温域における表面イオン伝導性

西岡 大貴¹、並木 航¹、蓑原 誠人²、組頭 広志²、〇樋口 透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

キーワード：表面プロトン伝導

本研究では、350℃以下でイオン伝導性を出現させることを目的として、Sm-doped CeO₂ (Ce_0.9Sm_0.1O_2-d)薄膜をスパッタ法により作製し、構造とイオン伝導性を評価した。350℃以下では、温度の減少とともに、プロトン伝導度が向上した。これは、Grtthus Machanismで提唱されている表面のプロトン伝導に起因する。