2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[20a-C103-1~11] 6.4 薄膜新材料

2018年3月20日(火) 09:00 〜 12:00 C103 (52-103)

松田 晃史(東工大)

09:30 〜 09:45

[20a-C103-3] TiO2-VO2系配向膜におけるスピノーダル分解

村岡 祐治1、松浦 由佳2、真部 侑司2、鈴木 雄基2、荒木 稜2、門脇 賢司2、竹元 嘉利2、寺嶋 健成1、脇田 高徳1、横谷 尚睦1 (1.岡山大基礎研、2.岡山大院自然)

キーワード:スピノーダル分解、エピタキシャル成長膜、TiO2-VO2

ルチル型TiO2-VO2系エピタキシャル成長膜の配向の違いがスピノーダル分解の進行に与える影響を調べた。その結果、(001)と(101)配向膜ではスピノーダル分解が進行するのに対して、(100)膜では固溶体のまま変化が見られなかった。膜の配向が変わるとスピノーダル分解の進行度に違いが生じることがわかった。スピノーダル分解の進行について、格子歪の観点から考察する。