[20a-C202-1~8] 17.3 Layered materials

[20a-C202-6] Reduction of MoS₂-thin-film carrier density by low-power sputtering

〇Takuro Sakamoto¹, Takumi Ohashi¹, Kentaro Matsuura¹, Iriya Muneta¹, Kuniyuki Kakushima¹, Kazuo Tsutsui¹, Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo tech)

Keywords:Molybdenum disulfide(MoS2), Sputtering

RFマグネトロンスパッタリング法により、SiO₂/Si基板上にMoS₂膜が層状に堆積できることが分かっている。電気的特性の向上に向けてスパッタ条件の検討を実施してきた。我々は基板とターゲットのダメージを抑えるため、低パワーでMoS₂スパッタリングを行っている。本研究では、MoS₂薄膜の電気的特性向上を目指し、低パワー化を検討したので報告する。