[20a-D102-1~11] 12.4 有機EL・トランジスタ

[20a-D102-8] 三端子変位電流評価法によるペンタセントランジスタの劣化機構解析：トラップ形成速度定数の評価

〇田中 有弥^1,2、山本 紘平²、野口 裕⁴、石井 久夫^1,2,3 (1.千葉大先進、2.千葉大院融合、3.千葉大MCRC、4.明大理工)

キーワード：容量ー電圧測定、有機電界効果トランジスタ、劣化

我々は三端子変位電流評価法（TT-DCM）を用いて，定電圧駆動に伴うペンタセン電界効果トランジスタ（Pn-FET）の劣化機構を解析しており，これまでにPn-FETのトラップ電荷はPn分子をカチオン状態で保持することにより生じるという結果を報告している．今回はこれ基づいて劣化モデルを構築した．その結果単位時間・単位電圧当たりのトラップ電荷形成の速度定数を算出したので報告する．