[20a-E201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-E201-8] β-Ga₂O₃基板上に形成したNiO薄膜の結晶配向性

〇中込 真二¹、安田 隆¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化ニッケル、配向性

我々は、(100) β-Ga₂O₃基板上に形成した(001)配向NiO薄膜について既に報告している。本研究では、 (-201)面と(010)面のβ-Ga₂O₃基板上にゾル－ゲル法によりNiO薄膜を形成し、この両者間の結晶配向関係について総合的に検討を行った。β-Ga₂O₃基板が異なってもNiO [011] (100) ‖ β-Ga₂O₃ [001] (100)の位置関係が保たれてNiO配向膜が形成されていることが分かった。