[20p-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-C101-5] 流体力学からみたミニマルCVD装置の特徴

〇石田 夕起^1,2、三ヶ原 孝則¹、三浦 典子²、池田 伸一^1,2、伊藤 孝宏³、羽深 等⁴、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.オリエンタルモーター、4.横国大)

キーワード：CVD、エピタキシャル成長、ミニマルファブ

ミニマルCVD装置のレイノルズ数は1以下であり、通常のメガファブ用CVD装置のレイノルズ数に比べ2～4桁小さい。低レイノルズ数領域では、ガス流れは炉内内部構造に大きく影響され、メガファブ装置では見られない特異な流れが生じる。シミュレーションによりこのような現象を解析し、低レイノルズ数領域でのガス流れを明らかにする。