[20p-C304-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [20p-C304-8] SiGeナノワイヤーにおける弾道的熱輸送

〇(M1)岡本 昂¹、柳澤 亮人¹、アラム マハフーズ²、澤野 憲太郎²、野村 政宏^1,3,4 (1.東大生研、2.東京都市大、3.東大ナノ量子機構、4.JSTさきがけ)

キーワード：フォノン、ナノワイヤー、シリコンゲルマニウム

近年、ナノスケールでの加工技術が発展するにつれ、固体中の熱伝導において新たな物理が観測可能になってきており、その一つに弾道的熱輸送現象がある。熱フォノンの平均自由工程が数十 µmという長い値を持つ、CVD成長されたSiGeナノワイヤー構造において、弾道的熱輸送が報告されている。しかしながら、室温における弾道的熱輸送を実現するためには、拡散的な散乱を抑えるための平滑な界面や高い結晶性が求められている。本研究では、RIEを用いたトップダウンの加工で作製したSiGeナノワイヤーにおいて室温下で弾道的熱輸送を観測したので報告する。