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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2018年3月20日(火) 13:15 〜 17:00 D103 (56-103)

土方泰斗(埼玉大)、竹内和歌奈(名大)

15:45 〜 16:00

△ [20p-D103-10] 半絶縁性SiC基板へのイオン注入によるノーマリオフn-JFETおよびp-JFETの作製

〇中島誠志¹、金子光顕¹、木本恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：SIC、高温動作IC、JFET