[20p-D103-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-D103-4] SiC MOSFETの室温ゲート特性に着目した伝導帯端近傍の界面準位密度評価

〇伊藤 滉二¹、立木 馨大¹、小林 拓真¹、堀田 昌宏¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大工)

キーワード：SiC、MOS