[20p-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-E201-5] ミストCVD 法によりGaCl₃ 原料を用いて成長したα-Ga₂O₃ の成長反応機構

〇神野 莉衣奈¹、吉村 暢浩²、金子 健太郎¹、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.京大工)

キーワード：酸化ガリウム、超ワイドバンドギャップ半導体、ミストCVD法

α-Ga₂O₃は、5.3 eVのバンドギャップ値を有するUWBG半導体材料の1つであり、パワーデバイスや深紫外発光デバイスの材料として注目を集めている。α-Ga₂O₃は、熱的に準安定相であり600℃以上で最安定相のβ-Ga₂O₃に相転移し、すると考えられてきたが、ミストCVD法によりGaCl₃原料を用いることで800℃という高温での成長が可能となった。本発表では、ミストCVD法によるGaCl₃原料を用いたα-Ga₂O₃の反応機構および相転移温度の向上について報告する。