[20p-P6-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-P6-19] 6インチc面サファイア基板上AlNの高温N₂アニールによる高品質化の検討

〇三嶋 晃¹、富田 優志¹、山岡 優哉¹、矢野 良樹¹、田渕 俊也¹、松本 功¹、三宅 秀人² (1.大陽日酸(株)、2.三重大)

キーワード：窒化アルミニウム

高効率で安価な深紫外用LEDの実現には、高品質なAlNを大口径ウェハー上に実現する必要がある。昨今、サファイア基板上AlN下地層がN₂雰囲気での高温アニール処理により高品質化することが報告されている。今回我々はAlNテンプレートの大口径化を目的として、6インチ基板を処理可能なアニール装置を製作し、6インチc面サファイア基板上へ成長したAlNのアニール処理を実施したので、その結果について報告する。