14:00 〜 14:15 △ [19p-E305-2] コンダクタンス法を用いたSi系絶縁膜に形成されたプラズマ誘起欠陥密度の定量評価 〇久山 智弘1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)