[18a-B11-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[18a-B11-5] 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析

〇水谷 朋子¹、竹内 潔¹、更屋 拓哉¹、小林 正治^1,2、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.東大VDEC)

キーワード：SRAM、データ保持電圧、極値理論

微細SRAMアレイの最低動作電圧は，トランジスタ特性のランダムばらつきにより，最も悪いセルで決定される．したがって最悪値の推定は重要である．全セルの分布関数から最悪値の推定は可能だが，製造段階では個々のセル全ての測定は現実的ではない。本研究では，極値理論を用いて，SRAMセルの最悪ケースのデータ保持電圧(DRV)の統計解析を行ったので報告する．