[18a-C212-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[18a-C212-5] 高濃度 n 型CZ-Si結晶における結晶成長中の点欠陥反応

〇中村 浩三¹、成松 真吾²、仙田 剛士²、前田 進² (1.岡山県大、2.グローバルウェーハズ・ジャパン)

キーワード：不純物効果、点欠陥

CZ-Si 結晶にAs および P などのn 型元素を高濃度にドープすると空孔型欠陥 (ボイド) が増大するが、ある濃度以上 (2~3x10¹⁹ cm^-3) になるとそれらが消滅し、また格子間シリコン型の転位ループも観察されないことが報告されている。本報告では、この現象について検討するため、Voronkov が提案した点欠陥気反応モデルを用いて、V/G (V:成長速度、G: 結晶の温度勾配) およびドープ濃度 (As, P) と点欠陥濃度との関係を調べた。