[18a-E303-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18a-E303-6] MOS界面におけるレーザーパルス励起THz波放射機構の考察
- 表面電場とフォトデンバー効果の分離 -

〇西村 辰彦¹、中西 英俊¹、川山 巌²、斗内 政吉²、細井 卓治³、志村 孝功³、渡部 平司³ (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.阪大院工)

キーワード：MOS界面、THz波、表面電場

Laser Terahertz Emission Microscope (LTEM)を用いてMOS界面電場評価が可能である。一方、フラットバンド条件に近い場合は表面電場によるTHz波放射が弱く、励起された電子・正孔の拡散速度差により放射されるフォトデンバー効果を考慮する必要がある。2つの成分を分離する本結果によりLTEM計測の精度が向上し、MOS界面を含む界面評価技術としてより貢献できると考える。