低転位n-Al<sub>0.6</sub>Ga<sub>0.4</sub>N下地層を用いたUV-B領域AlGaN発光層の評価

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月18日(水) 09:00 〜 11:45 E310 (E310)

船戸充(京大)、齋藤義樹(TSオプト)

09:15 〜 09:30

〇(M1)田中隼也¹、川瀬雄太¹、佐藤恒輔^1,2、安江信次¹、手良村昌平¹、岩山章^1,4、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,3、三宅秀人⁴ (1.名城大・理工、2.旭化成㈱、3.名古屋大・赤﨑記念研究センター、4.三重大・院・地域イノべ)

キーワード：半導体、UV-B、AlGaN