[18a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E310-9] DCスパッタAlNテンプレート上UVC AlGaN LEDの作製と評価

〇最上 耀介^1,2、大澤 篤史³、尾崎 一人³、谷岡 千丈³、前岡 淳史³、糸数 雄吏^1,2、桑葉 俊輔^1,2、定 昌史¹、前田 哲利¹、矢口 裕之²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉院理工、3.SCREEN)

キーワード：UV-LED、スパッタ、アニール

AlGaN深紫外LEDは水や空気の殺菌・浄化などの応用から実用化が期待されている。我々は、生産性に優れたDCスパッタ法と高温アニール法を併用した低コスト・高品質のAlGaN深紫外LED実現を目指し研究を行っている。これまで、均一なスパッタAlNの成膜条件を検討し、290 nmで外部量子効率0.82 %のLED動作を報告した。今回、成長条件の最適化を進め、発光波長270 nmで効率1.3 %のLEDを作製したので報告する。