[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-17] 高品質AlN上RF-MBE成長InNの極微構造評価

〇荒木 努¹、橘 秀紀¹、高林 佑介¹、福田 安莉¹、毛利 真一郎¹、名西 やす之¹、正直 花奈子²、三宅 秀人^2,3 (1.立命館大理工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード：窒化インジウム、分子線エピタキシー、透過電子顕微鏡

スパッタ・高温アニールによって作成した高品質AlNテンプレート上にRF-MBE法を用いてInN成長を行った。直接成長では、InN/AlN界面から1.3×10¹⁰/cm²の刃状転位が発生していた。一方、GaNバッファを挿入して成長したInNでは、XRD302回折の半値幅が直接成長InNよりも大きく減少していた。この原因をTEM観察によって調べたところ、InN/GaN界面にボイドが発生し、それを起点としたエアブリッジ成長によって刃状転位密度が減少していることがわかった。