[18a-PB3-1~47] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-PB3-45] GaN(0001)上へのハーフメタルホイスラー合金Co₂FeSi薄膜の低温MBE成長

〇山田 晋也^1,2、本多 遼成²、後藤 優貴²、市川 修平³、舘林 潤³、藤原 康文^3,1、浜屋 宏平^1,2 (1.阪大基礎工CSRN、2.阪大基礎工、3.阪大工)

キーワード：分子線エピタキシー、ホイスラー合金、GaN

分子線エピタキシー法によるGaN(0001)上へのCo₂FeSi薄膜の低温成長とその磁気特性，界面の電気伝導特性について述べる．