[18p-B11-1~14] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [18p-B11-11] レーザーアニール又はRTAを施したSnドープSiGe膜の歪評価

〇小孫 翔大¹、横川 凌^1,2、吉岡 和俊¹、澤本 直美¹、ボーランド ジョン³、黒井 隆⁴、川崎 洋司⁵、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員 DC、3.J.O.B. Technologies、4.日新イオン機器株式会社、5.住友重機械イオンテクノロジー株式会社)

キーワード：半導体、歪、SiGe

GeはSiと比べて高いキャリア移動度を有するため、次世代チャネル材料として期待されている。また、ソース・ドレイン領域にCやSi又はSnを導入することで、それぞれ引っ張り又は圧縮歪が印加され、移動度を向上させることができる。7 nmノードになるとGe-pMOSにはチャネル領域に2%の圧縮歪、一方でGe-nMOSには2%の引っ張り歪が必要となる。2%の引っ張り歪には53%のSi又は5.4%のC、対して2%の圧縮歪には13%のSnの導入が必要となる。本研究では、歪制御を目的にSi基板にGe、Snイオンを注入後、RTA又はLAを施し、熱処理プロセスによる歪状態の差異を評価した。