[18p-E101-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学　～新機能性の発現と電子・光デバイスへの展開～

[18p-E101-2] 高周波GaN HEMTの高性能化に向けたデバイス開発

〇尾崎 史朗^1,2、牧山 剛三^1,2、多木 俊裕^1,2、熊崎 祐介^1,2、新井田 佳孝^1,2、佐藤 優^1,2、美濃浦 優一^1,2、山田 敦史^1,2、小谷 淳二^1,2、岡本 直哉^1,2、中村 哲一^1,2 (1.富士通、2.富士通研)

キーワード：高周波GaN HEMT