[18p-E303-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[18p-E303-4] 3次元デバイス構造のもとでの単原子層MoS₂チャネルのモンテカルロシミュレーション

〇(M2)岡田 崇太¹、吉田 勝尚¹、佐野 伸行¹ (1.筑波大数理)

キーワード：モンテカルロシミュレーション、単原子層、クーロン相互作用

単原子層MoS₂をチャネルとしたFET構造に対して，ゲートやソース/ドレインまで含めた3次元モンテカルロ(MC)デバイスシミュレータの構築を行った．当該シミュレータによって得られた熱平衡状態でのポテンシャル分布及びキャリア密度分布が，ドリフト拡散法の結果をよく再現することから，MC法とクーロン長距離成分が適切に抽出されたポアソン方程式との自己無撞着計算に成功していると考えられる．