2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-E304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月18日(水) 13:45 〜 16:15 E304 (E304)

池上 浩(九大)、羽深 等(横国大)

15:30 〜 15:45

[18p-E304-8] 液体シリコンによるナノ空間へのシリコン埋め込みに関する研究

増田 貴史1、臼井 友輝2、岸岡 高広2 (1.北陸先端大、2.日産化学株式会社)

キーワード:液体シリコン、埋め込み

最先端半導体プロセスの1つにナノサイズの開口部を持つ空間、例えばトレンチ・細孔・空隙を半導体シリコン(Si)で埋め込む技術が希求されている。本研究は「液体Si」と呼ぶ独自の液体材料を用いて20nm以下の空間へ半導体Si埋め込む。ナノ空間に接触した液体Siは毛管力により自発的に内部に浸透し、「液体Si→固体Si」変換を通して内部にSiを製膜する。