[18p-PA4-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

[18p-PA4-14] ヨウ素ドーピングを施したa-CN_x:H薄膜の電気的特性評価

〇工藤 誠司¹、藤古 秀人¹、小渡 祐樹¹、山里 将朗¹、比嘉 晃¹ (1.琉球大工)

キーワード：水素化アモルファス窒化炭素薄膜、ヨウ素ドーピング、ダイヤモンドライクカーボン

a-CN_x:H薄膜は、高硬度、光透過性、化学的不活性、高電気抵抗率といった性質を有する。このため、切削工具の保護膜、光学材料、ULSI技術の絶縁層などの広い範囲での応用が期待されている。我々は、これまでの研究で、a-C:H薄膜にヨウ素ドーピングを施すことにより、光学ギャップや電気抵抗率が減少することを示してきた。a-CN_x:H薄膜についても、ヨウ素ドーピングにより、光学ギャップが減少することが分かっているが、ドーピングによる、膜の電気抵抗率の変化については、まだ十分に調べられていない。そこで、本研究では、異なる膜質を有するa-CN_x:H薄膜の電気抵抗率に及ぼすヨウ素ドーピングの効果を調べた。