[18p-PB1-1~84] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[18p-PB1-33] フルホイスラー合金Co₂MnGe(Ga)薄膜のGe(Ga) L_2,3端における磁気円二色性スペクトル

〇吉川 智己¹、河野 嵩¹、鹿子木 将明¹、角田 一樹²、宮本 宮本³、竹田 幸治⁴、斎藤 祐児⁴、後藤 一希⁵、桜庭 裕弥⁵、宝野 和博⁵、木村 昭夫¹ (1.広島大院理、2.東工大、3.広大放射光セ、4.原研、5.NIMS)

キーワード：磁気円二色性吸収分光、ホイスラー合金薄膜、ハーフメタル

Alキャップを施したCo₂MnGe (Ga)フルホイスラー合金薄膜においてGa(Ge) L_2,3吸収端におけるXMCDをSPring-8 BL23SUにて観測した。また、GaおよびGe L_2,3吸収端とXMCDスペクトルと第一原理計算による非占有側のGe(Ga)におけるd軌道部分状態密度(PDOS)を比較した。その結果、Ge(Ga)のXMCD スペクトルが、Ge(Ga) d軌道の小さくスピン分裂した多数スピンと少数スピンバンドの差分により定性的に説明できることが分かった。