[18p-PB4-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [18p-PB4-3] パワーデバイス用 Si 結晶中のライフタイム制御欠陥のバンド構造解析

〇(M2)土屋 大輝¹、末岡 浩治²、山本 秀和³ (1.岡県大院情報系工、2.岡県大情報工、3.千葉工大工)

キーワード：第一原理計算、ライフタイム制御、原子空孔

パワーデバイス用Si結晶において，炭素酸素不純物が深い準位の空孔欠陥に反応することでライフタイムの制御性に影響を及ぼしているものと考えられる．これまでに空孔V，リンPと炭素，酸素不純物間の相互作用に注目し構造変化の過程を報告したが，今回はそこで得られた最安定構造についてバンド構造を求めた．得られたバンド構造に対して比較し，バンド構造の変化について報告する．