[19a-B11-1~9] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[19a-B11-9] Correlation between two energy levels of individual MOS interface traps II

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:silicon, single interface trap, electron capture time constant

これまでに確立した体系的な界面トラップ評価法を用いて，単一トラップの電子準位対の密度分布を明らかにした．この準位対の各エネルギー位置には何らかの物理的要因に基づく相関があると推測でき，その解明のため，関連しそうな手掛かりとして，準位対における電子捕獲過程の理解を深める検討を行った．今回は，1つの準位対における電子捕獲過程が，片方の準位の電子捕獲状態によってどのような影響を受けるのかを調べた．