[19a-E313-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19a-E313-10] 高濃度SbドープによるGe_1−xSn_xのフォトルミネッセンス発光強度の増大

〇福田 雅大¹、全 智禧¹、坂下 満男¹、柴山 茂久¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,2 (1.名古屋大院工、2.名古屋大未来研)

キーワード：半導体、GeSn