[19a-E313-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19a-E313-9] イオン注入法を用いた面内組成傾斜n型Si_1−xGe_x細線の形成

〇中田 壮哉¹、西嶋 大樹²、清水 智²、角田 功²、富田 基裕³、渡邊 孝信³、中塚 理^1,4、黒澤 昌志^1,5 (1.名大院工、2.熊本高専、3.早大理工、4.名大未来研、5.名大高等研究院)

キーワード：SiGe