[19a-E317-1~10] 9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート

[19a-E317-7] バックゲート付きナノワイヤ架橋構造素子の作製とその共振測定

〇(D)富田 航^1,2、佐々木 智¹、舘野 功太¹、岡本 創¹、山口 浩司^1,2 (1.NTT物性研、2.東北大学)

キーワード：半導体、ナノワイヤ、ナノメカニクス

当研究室で用いられてきたインクジェットプリンタ利用によるナノワイヤ集積法を発展させることで直下にゲート電極をもつInAsナノワイヤの架橋構造デバイスを作製し、その共振特性を測定した。低温下で10000という高いQ値を示し、また加振強度変調によるダフィング非線形性やゲートDC電圧変調による共振周波数シフトが観測された。