[19p-B01-1~6] パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜

[19p-B01-1] 次世代パワー半導体デバイス開発における材料学的課題

〇小出 康夫¹ (1.物材機構)

キーワード：パワー半導体、SiC、GaN

次世代パワー半導体材料として、市場拡大が期待される炭化シリコン（SiC）および窒化ガリウム（GaN）、更には次々世代材料として酸化ガリウム（Ga₂O₃）およびダイヤモンドが注目されている。本講演ではそれぞれの半導体材料、ウェハ、および電子デバイスと材料学的課題について言及する。