[19p-B01-1~6] パワーエレクトロニクスと薄膜・表面技術〜省エネルギー社会に向けて〜

[19p-B01-2] 半導体ダイヤモンドにおける不純物ドーピング制御ならびにデバイス化技術の進展

〇加藤 宙光¹、小倉 政彦¹、牧野 俊晴¹、竹内 大輔¹、山崎 聡¹ (1.産総研)

キーワード：ダイヤモンド半導体、不純物ドーピング、接合デバイス

近年のマイクロ波プラズマ化学気相堆積法によるダイヤモンド結晶成長技術の成熟により、高品質なダイヤモンド結晶成長や安定した不純物ドーピングが可能となり、各種ダイオードや電界効果型トランジスタの素子開発が飛躍的に進展してきた。本稿では不純物ドーピングによる伝導制御ならびにデバイス化技術に着目し、これらの基盤要素技術の開発状況を述べると共に、課題や今後の展開について紹介する。