[19p-E214-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[19p-E214-7] X線非弾性散乱法によるBulk Si_1-xGe_x(x=0.72)単結晶のフォノン分散測定

〇横川 凌^1,2、小柳 有矢¹、内山 裕士³、筒井 智嗣³、米永 一郎⁴、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.JASRI、4.東北大学)

キーワード：X線非弾性散乱、SiGe、フォノン分散

近年、電子デバイス、熱電素子などへの幅広い応用が期待される新半導体材料としてSiGeが注目されており、その材料特性を司る指標の一つにフォノン分散が挙げられる。しかしながら汎用的なSiやGe結晶と異なり、混晶材料のフォノン散乱機構は複雑で、分散測定例が乏しい。本研究では、meV分解能でフォノンスペクトルが観測可能なX線非弾性散乱法を用いてSiGe混晶単結晶のフォノン分散測定を試行したので報告する。