2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:15 E304 (E304)

角嶋 邦之(東工大)、羽深 等(横国大)

17:00 〜 17:15

[19p-E304-13] 局所クリーン化ミニマル環境コントロールシステム-PLAD (Ⅳ)

谷島 孝1,2、三浦 典子2、安井 政治1,2、クンプアン ソマワン1,2、前川 仁1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード:ミニマルファブ

ミニマルファブの前室システムであるPLADのクリーン化とガス遮断を行う、差圧制御・気体循環システムを開発してきた。このシステムをミニマル集光加熱炉に搭載し、窒素環境下でシリコンウエハを高温加熱した時の、ウエハ上に形成される酸化膜厚を評価した。その結果、PLADの窒素環境コントロールシステムを集光加熱炉に適用した場合は、現状の達成残留酸素濃度でほぼ十分であることが分った。