[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-3] ミニマル中性粒子ビームエッチング装置の開発

〇大堀 大介¹、野田 周一²、野沢 善幸³、リャオ ブライアン³、藤井 竜介³、速水 利泰³、門井 幹夫⁴、石田 昌久⁵、田中 麻美⁵、曽田 匡洋⁵、遠藤 和彦^1,2、寒川 誠二^1,2 (1.東北大流体研、2.産総研、3.SPPテクノロジーズ、4.リソテックジャパン、5.長瀬産業)

キーワード：中性粒子ビームエッチング

ミニマル化による半導体製造技術の少量多品種の新たな半導体デバイスの研究開発や製品化の需要が非常に高まっている。そこで、サブ10 nmで高品質・高精度なエッチングが必要な素子に対して、欠陥を形成することのない加工技術の開発が必要である。本研究開発では、ナノ構造素子やCMOS回路のさらなる微細化・高性能化に必須となる無欠陥加工を可能とした、ミニマル中性粒子ビーム加工装置を開発した。